Исследовательское подразделение IBM совместно с производителем полупроводников GlobalFoundries и Samsung разработали процесс производства 5-нанометровых процессоров, а также представила первые созданные по этому методу транзисторы.
В последние годы многие эксперты заговорили о «смерти» закона Мура, согласно которому доступное число транзисторов на интегральной плате должно удваиваться за год, повышая производительность компьютеров. Сделав 10-нанометровые (используются, к примеру, в последних смартфонах Samsung) и 7-нанометровые чипы, производители фактически подобрались к физическим ограничениям существующих методик.
IBM Research с партнерами представила альтернативную архитектуру транзисторов с использованием трех кремниевых «нанослоев», что позволило увеличить производительность чипов на 40% – иными словами, разместить на плате размером с человеческий ноготь не 20 млрд транзисторов, как было доступно раньше, а 30 млрд, при этом снизив потребление энергии на 75% по сравнению с 10-нанометровыми аналогами.
Пластина с первыми транзисторами для 5-нанометровых процессоров / Фото: IBM
Новый метод также впервые позволяет создавать чипы литографическим оборудованием, работающим в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (EUV), что может уменьшить стоимость создания процессоров. Технические подробности можно узнать здесь.
Отдельные 5-нанометровые транзисторы / Фото: IBM
Как отмечает ArsTechnica, теоретически новая технология позволяет создать 3-нанометровый процессор. Планы по внедрению 5-нанометровых процессоров в реальные продукты разработчики не раскрывают.
Нашли опечатку? Выделите текст и нажмите Ctrl + Enter
Материалы по теме
Пройти курс «Как управлять финансами»
ВОЗМОЖНОСТИ
03 декабря 2024
03 декабря 2024
04 декабря 2024